云南锗业：《进军二代半导体，业绩反转在即》

 首次覆盖给予增持评级。预计5G时代手机GaAs衬底需求将大幅增长，InP有望受益于光通讯快速放量，公司两者皆有布局，发力二代半导体，长期拐点可期。预计公司2020-2022年EPS分别为每股0.03/0.12/0.23元，综合PE及PB估值方法给予公司目标价13.8元。对应2020~2022年PE 480/115/60倍，当前空间38%，首次覆盖增持评级。

5G时代手机GaAs衬底需求将快速增长。相较一代半导体二代性能更为优异，相较三代半导体二代成本更占优势，5G时代以GaAs为代表的二代半导体材料或最先受益：预计5G手机PA数量增加、5G渗透率提升及VCSEL应用将大幅拉动GaAs衬底需求。我们测算2025年PA用GaAs衬底需求将约200万片(折合4英寸)，对应市场空间约200亿元，5年CAGR约17.5%；VCSEL用GaAs衬底需求将约75万片（折合4英寸），对应市场空间11.2亿元，5年CAGR约9.8%。而目前国内手机用GaAs渗透率（PA及VCSEL）不足10%，进口替代空间巨大，以云锗为代表的国内相关企业有望率先受益。

InP有望快速放量，订单确定性较高。InP电子迁移率高，耐辐射性能好，禁带宽度大，在光通讯领域具备重要应用。公司15万片单晶项目旨在光通讯，订单确定性高，盈利潜力良好，投产放量在即，有望助力公司业绩长期拐点来临。

催化剂：公司GaAs、InP快速放量，5G手机渗透率快速提升

风险提示：5G渗透不及预期的风险

摘自国泰君安证券研究

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